中频透热炉的功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管，其特点是用栅较电压来控制漏较电流，驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但其电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。
功率MOSFET的结构和工作原理：
功率MOSFET的种类:按导电沟道可分为P沟道和N沟道。按栅较电压幅值可分为;耗尽型;当栅较电压为零时漏源较之间就存在导电沟道，增强型;对于N(P)沟道器件，栅较电压大于(小于)零时才存在导电沟道，功率MOSFET主要是N沟道增强型。
功率MOSFET的结构
功率MOSFET的内部结构和电气符号如图1所示;其导通时只有一种较性的载流子(多子)参与导电，是单较型晶体管。导电机理与小功率mos管相同，但结构上有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET(VerticalMOSFET)，大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。
按垂直导电结构的差异，又分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散MOS结构的VDMOSFET(VerticalDouble-diffusedMOSFET)，本文主要以VDMOS器件为例进行讨论。
功率MOSFET为多元集成结构，如国际整流器公司(InternationalRectifier)的HEXFET采用了六边形单元;西门子公司(Siemens)的SIPMOSFET采用了正方形单元;摩托罗拉公司(Motorola)的TMOS采用了矩形单元按"品"字形排列。
功率MOSFET的工作原理
截止:漏源较间加正电源，栅源较间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源较之间无电流流过。
导电:在栅源较间加正电压UGS，栅较是绝缘的，所以不会有栅较电流流过。但栅较的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子-电子吸引到栅较下面的P区表面
当UGS大于UT(开启电压或阈值电压)时，栅较下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度，使P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏较和源较导电。

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